得到的指標包含:T1的正確率、在T1正確的情況下T2的正確率、瞬脫幅度(ABM)= ((T2|T1lag10—T2|T1lag3)/T2|T1lag10)
圖1. 實驗刺激及流程示意圖
2.3 數據采集和處理
通過Visor 2 (ANT Neuro, Netherlands) 精確定位線圈的刺激部位——左下額葉交界處。TMS刺激通過7mm八字形線圈施加,以13.3 Hz的頻率發出3脈沖刺激,給予時間點為T1/T2出現后的75、150、225ms,刺激強度為80%靜息運動閾值。
03 實驗結果
以是否實際施加了TMS刺激、T1和T2之間干擾子的數目為組內要因,分別對T1目標后及T2目標后施加TMS刺激的情況下T2的正確率進行方差分析。當刺激施加在T1之后時,有刺激和干擾子數目的交互作用。具體來說,當T2在T1之后第三個位置出現時,真實的TMS刺激相比偽裝刺激提高了T2的正確率。而當刺激施加在T2之后時,無任何顯著交互作用。
對ABM進行方差分析的結果顯示,當在T1之后施加TMS刺激時,ABM會顯著減小;在T2后施加的TMS刺激不會產生此效果。
圖3. 在T1/T2之后給予真正TMS刺激和偽裝刺激條件下的瞬脫幅度
04 結論
本研究使用TMS在時間進程上擾亂了左下額葉交界處的功能,揭示了在T1出現后對左下額葉交界處進行TMS刺激可以減少注意瞬脫缺損。這表明在注意瞬脫現象中,左下額葉交界處的功能可能與右頂葉下葉或右頂葉內溝不同,扮演了抑制控制的角色,即在鞏固了T1后,左下額葉交界處積極地抑制了干擾子的加工,從而分配更多資源用于T2的加工。
05 參考文獻及DOI號
Zhou, L., Zhen, Z., Liu, J., & Zhou, K. (2020). Brain Structure and Functional Connectivity Associated with Individual Differences in the Attentional Blink. Cerebral Cortex, 30(12), 6224-6237.
Doi: 10.1093/cercor/bhaa180