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ALD在太陽能電池方面的應(yīng)用

瀏覽次數(shù):1704 發(fā)布日期:2023-6-27  來源:本站 僅供參考,謝絕轉(zhuǎn)載,否則責(zé)任自負(fù)
1、ALD在太陽能電池領(lǐng)域的應(yīng)用
      應(yīng)用于光伏太陽能電池的材料可分為硅基材料(單晶,多晶,非晶),CdTe, CuInGaSe和CuInGaS。太陽能電池類型可以分為4大類:a第一代硅基太陽能電池(單晶,多晶);b第二代薄膜太陽能電池(a-Si,CeTe,CIGS);c第三代太陽能電池包含量子點(diǎn)太陽能電池,聚合物太陽能電池,染料敏化太陽能電池以及聚光型太陽能電池;d鈣鈦礦結(jié)構(gòu)太陽能電池。ALD 鍍層可以作為表面鈍化層,緩沖池,窗戶層,吸收層,電子空穴接觸或者透明導(dǎo)電氧化物。

2、ALD在硅太陽能電池中的應(yīng)用
       ALD基材料在c-Si太陽能電池中的應(yīng)用始于Al2O3,Al2O3是一種非常有效的表面鈍化層,被發(fā)現(xiàn)可以顯著提高c-Si太陽能電池的效率并應(yīng)用于大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化中。此后的研究中,ALD的應(yīng)用研究從表面鈍化層擴(kuò)展到載流子傳輸材料。

 

 

3、ALD在薄膜及有機(jī)、鈣鈦礦太陽能電池中的應(yīng)用
       ALD在薄膜太陽能電池上的應(yīng)用主要是由對納米層沉積和界面改性的要求驅(qū)動的,按功能層可將其分為吸收層,緩沖層,界面鈍化層和透明導(dǎo)電氧化物層等。金屬氧化物在有機(jī)、鈣鈦礦及硅/鈣鈦礦疊層等高效電池的制備中也有廣泛的應(yīng)用。無論是作為電子/空穴傳輸層、復(fù)合層還是封裝層,ALD一直扮演著至關(guān)重要的角色。

 

 

4、ALD在量子點(diǎn)太陽能電池中的應(yīng)用
       在量子點(diǎn)太陽能電池中,ALD沉積常用于量子點(diǎn)的表面修飾及吸收層制備,對于制造高效的量子點(diǎn)太陽能電池至關(guān)重要。ALD還可以用于制備n型/p型透明導(dǎo)電電極,其生長的2D材料可以輕松集成到太陽能電池中,并有助于制造出更高效,輕便的太陽能面板。

 
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