電子在電場的作用下，飛向基片過程中與氣體原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出氣體正離子和新的電子；新電子飛向基片，離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子借助于靶表面上形成的正交電磁場，被束縛在靶表面特定區(qū)域，增強電離效率，增加離子密度和能量，從而實現(xiàn)高速率濺射。

主要應用：
適用于掃描電子顯微鏡樣品鍍覆導電膜（金膜、鉑金、銀、鎳、銅等），儀器操作簡單方便，是配合各類型掃描電子顯微鏡制樣必備的儀器。是制備低維度，小尺寸納米材料器件的必備實驗手段，廣泛應用于集成電路，光子晶體，低維半導體、微生物、超微膜材料等領域。

配套世界主流掃描電子顯微鏡廠家：
熱電（美國原荷蘭）FEI鎢絲陰極、場發(fā)射、飛納臺式等各類型電子顯微鏡，蔡司（德國）鎢絲陰極、場發(fā)射各系列的掃描電子顯微鏡，JEOL（日本電子）各類電鏡，日立（日本）各系列電鏡、臺式電鏡，TESCAN泰斯肯（捷克）各系列電鏡，還有如韓國“賽科”、COXEM庫賽姆、MIRERO等電鏡品牌及所有需要樣品前期處理，提高成像質(zhì)量、增強導電性能等表面鍍膜處理的樣品制備工作。

【實驗/設備條件】
     掃描電鏡、場發(fā)射、能譜儀定性定量分析
【樣品提取】
    切割機---切割樣品--超聲清洗---干燥（生物樣品需臨界點干燥）---放置樣品杯
【實驗/操作方法】
        所需設備小型離子濺射儀（ISC--1000CK）
          
 
TZZN-100標準型                                         TZZN-1000磁控型
                                       
1.打開電源，預抽3-5分鐘
2.場發(fā)射電鏡，使用電流10毫安，鍍膜時間60秒
  鎢絲陰極，可用高壓2000V左右的直流濺射，電流8毫安，鍍膜時間3分鐘
   調(diào)試好濺射儀工作狀態(tài)，并設置好參數(shù)，關閉電源準備。
3.將處理好的樣品：如：鏡片
  4.將樣品放置于樣品臺正中，大約距離濺射靶源50毫米左右，如果是磁控型的可放置于20毫米左右。
5.打開濺射儀工作電源。
【實驗結(jié)果/結(jié)論】
      高壓型濺射儀在處理樣品，樣品的鍍膜厚度與鍍膜的電流和時間成正比關系，但樣品表面的溫升范圍很大，容易對樣品造成熱損傷。
鍍膜效果：12毫安，斷續(xù)5分鐘，給鏡片鍍膜
      低溫磁控型處理樣品：60秒樣品表面無明顯改變，裸眼觀測會有淺灰色；當加大電流且延長鍍膜時間，隨著時間的延長，樣品表面的顏色有灰色到金色。
  如果需要鍍一層厚膜，建議使用高壓型離子濺射儀。
【儀器/耗材清單】
     切割機：用于提取樣品適合掃描電鏡和離子濺射儀
    拋光機：本次未用
   超聲清洗機：清楚樣品污染
   導電膠或是導電膠帶：固定樣品
   樣品杯：固定放置樣品
   掃描電鏡：觀測，分析
   離子濺射儀：樣品導電性處理