338 次國儀量子電鏡在ALD高k介質(zhì)薄膜覆蓋率評估中的應(yīng)用報告 2025-3-24
國儀量子電鏡在 ALD 高 k 介質(zhì)薄膜覆蓋率評估的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域,隨著芯片制程不斷向更小尺寸推進,傳統(tǒng)的二氧化硅(SiO₂)柵介質(zhì)由于其相對較低的介電常數(shù)(k
288 次國儀量子SEM3200在深紫外LED電極接觸電阻分析中的應(yīng)用報告 2025-3-24
國儀量子 SEM3200 在深紫外 LED 電極接觸電阻分析的應(yīng)用報告一、背景介紹深紫外 LED 在殺菌消毒、生物醫(yī)療、環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。然而,目前深紫外 LED 的發(fā)光效率和功率提升面臨諸
249 次國儀量子電鏡在3D NAND存儲孔道垂直度測量中的應(yīng)用報告 2025-3-24
國儀量子電鏡在 3D NAND 存儲孔道垂直度測量的應(yīng)用報告一、背景介紹在當(dāng)今數(shù)字化信息爆炸的時代,數(shù)據(jù)存儲需求呈指數(shù)級增長。3D NAND 存儲技術(shù)憑借其高存儲密度、低能耗以及良好的讀寫性能,成為
279 次國儀量子鎢燈絲掃描電鏡在二維材料(如 MoS₂)層數(shù)確認中的應(yīng)用報告 2025-3-24
國儀量子 SEM3200 在二維材料(如 MoS₂)層數(shù)確認的應(yīng)用報告一、背景介紹二維材料因獨特的原子結(jié)構(gòu)和層狀特性,展現(xiàn)出與塊體材料迥異的物理、化學(xué)性質(zhì),在眾多前沿領(lǐng)域極具應(yīng)用潛力。以 M